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| 天岳先进(688234)经营总结 | | 截止日期 | 2025-06-30 | | 信息来源 | 2025年中期报告 | | 经营情况 | 二、经营情况的讨论与分析
2025年上半年，随着全球新能源汽车、可再生能源产业等领域的持续扩张，能源变革日益成为全球发展的核心目标，市场对碳化硅材料的需求正呈现爆发式增长。同时，碳化硅材料亦是AI产业增长与创新的必然选择，并在数据中心、电力基础设施与终端应用上均具有巨大潜力。全球主要国家在碳化硅半导体领域继续加大战略布局。
公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。
作为全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，公司管理层紧紧围绕公司发展战略和年度经营目标，持续优化内部生产管理、改进工艺技术、提升产品良率，坚持研发创新和市场拓展；同时，公司积极主动开源节流，合理管控成本费用，推进精益改善等一系列措施实现降本增效。
（一）公司经营情况
1、深耕主业，强化巩固竞争优势
2025年上半年，公司持续提升核心产品的产能产量。公司济南工厂的产能产量通过技术与工艺提升稳步推进，上海临港工厂已于2024年年中提前达到年产30万片导电型衬底的产能规划，目前正在推进二阶段产能提升计划，两个工厂合计设计产能已突破40万片。
2025年上半年，公司实现营业收入7.94亿元；归属于上市公司股东的净利润1,088.02万元。
这一变动主要系公司战略性加大了研发投入。
2、深挖合作客户新订单，积极拓展新客户
随着全球对绿色低碳能源的需求日益增加，碳化硅材料在新能源汽车和光伏行业的市场前景广阔。公司通过加强在碳化硅衬底产品领域的长远布局，紧抓行业发展新机遇，提高市场份额，为未来的持续增长打下坚实的基础。同时，公司继续优化碳化硅衬底的产品结构，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，深挖原有合作客户，积极拓展新客户、新产品，以保持在碳化硅材料市场的竞争力，最终实现产业链共赢，持续提升全球影响力。
公司已实现8英寸导电型衬底产品质量和批量供应。截至报告期末，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立了业务合作关系，客户体系进一步完善。公司持续开拓光学等新兴领域客户，已与全球头部光学领域厂商建立了合作关系，并已获得相关客户多个订单，实现了光学领域碳化硅衬底产品的销售。
2025年7月，公司与舜宇奥来微纳光学（上海）有限公司（以下简称“舜宇奥来”）达成战略合作，开启了微纳米光学领域和新材料领域两家龙头企业合作新篇章。此次合作，通过整合天岳先进的材料优势与舜宇奥来的光学技术专长，将助力碳化硅衬底材料在光学领域的应用，开拓一个新兴的蓝海市场。
2025年3月，权威行业调研机构日本富士经济发布报告测算，2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进（SICC）为22.8%，稳居全球前三。公司及产品在国际市场具有较高的知名度。
2025年8月，公司与东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称"东芝电子元件"）就公司开发制造的SiC功率半导体用衬底达成基本协议，双方将开展以下合作：针对SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作，以及运用合作成果扩大高品质稳定衬底供应的商业合作。基于此，东芝电子元件以铁路用SiC功率半导体的开发、制造及供应实绩为基础，正加速推进服务器电源用、车载用等SiC器件开发，未来将致力于进一步降低SiC功率半导体损耗，开发面向高效电力转换应用的高可靠性、高效率产品。
3、持续丰富产品矩阵，助力下游应用拓展
公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。
2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。
目前，公司已形成6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵，包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电P型及12英寸导电N型碳化硅衬底。随着碳化硅行业全面迈入“12英寸新时代”，公司将以超大尺寸技术及产品为支点，持续深耕碳化硅半导体材料的蓝海市场。
（二）研发创新情况
公司致力于研发创新，重点涵盖基础研究、产品开发及工程研发，确保公司不仅紧跟科技进步，并不断改进公司产品，巩固公司宽禁带半导体材料领导者的地位。2025年上半年，公司研发费用7,584.67万元，同比增加34.94%，主要用于大尺寸衬底产品技术攻关以及AR眼镜等新兴应用领域的拓展。
公司在碳化硅衬底及生产技术的研发方面投入了大量资源，保障了高品质碳化硅衬底的大批量稳定交付。目前公司在衬底制备上处于国际第一梯队，引领行业发展，在基础研究、产品开发以及工程研发等方面依托于完全自主研发创新。
公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。同时，公司是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。
截至2025年半年度末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权197项，实用新型专利授权305项，其中境外发明专利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。
截至报告期末，公司研发人员中硕士、博士合计63人，占研发人员总数的36.63%。公司享受国务院特殊津贴专家两人。
（三）半年度成果和荣誉
2024年12月，公司荣获由中国电子信息行业联合会经严格评审并颁发的数据管理能力成熟度模型(DCMM）3级认证，这是公司以宽禁带半导体技术立足数字化低碳化发展又一里程碑式成就。公司已构建起一套全面且规范的数据管理制度，为企业决策及管理运营提供可靠、科学且高效的数据支撑，从而显著提升企业的市场竞争力和管理先进性，保障了企业的稳健运营。
2025年5月，山东省政府正式发布2025年第四批“好品山东”品牌名单，公司凭借全球领先的碳化硅技术实力、绿色低碳智造成果及国际化品牌影响力荣耀登榜！这标志着企业以持续创新和高质量发展，成为山东省乃至中国半导体产业的“标杆力量”。
2025年6月，公司获得第二十五届中国专利银奖。公司此次获得中国专利银奖，是对公司技术创新能力和技术发明产业化能力的重大肯定，也是对公司在碳化硅半导体领域核心关键技术重大突破以及自主可控的充分认可。
2025年6月4日，公司凭借其在碳化硅衬底材料技术上取得的革命性突破，荣获由日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的“半导体电子材料”类金奖。这是中国企业在该奖项设立31年以来的首次问鼎，也是该奖项历史上首次将最高荣誉授予碳化硅衬底材料技术。历届获奖企业主要包括英飞凌、索尼、美光等国际半导体巨头，此次获奖标志着我国在半导体关键基础材料领域实现历史性突破，彰显了中国宽禁带半导体材料技术的国际领先地位。
（四）H股成功挂牌上市
为加快公司的国际化战略及海外业务布局，增强公司的境外融资能力，进一步提高公司的资本实力和综合竞争力，根据公司总体发展战略及运营需要，2024年12月，公司发布计划在境外发行股份（H股）并在香港联合交易所有限公司上市（以下简称“本次H股上市”）公告，正式启动本次H股上市相关筹备事项。
之后，公司陆续于2025年1月、2月召开董事会及股东大会审议通过了本次H股上市相关事项，并于2025年2月24日向香港联交所递交了本次发行的申请。公司于2025年6月收到中国证监会出具的《关于山东天岳先进科技股份有限公司境外发行上市备案通知书》，备案公司拟发行不超过87,206,050股境外上市普通股并在香港联合交易所上市。经香港联交所批准，公司本次发行的47,745,700（行使超额配售权之前）股H股股票于2025年8月20日在香港联交所主板挂牌并上市交易。公司H股股票中文简称为“天岳先進”，英文简称为“SICC”，股份代号为“2631.HK”。
公司本次港股上市，标志着中国碳化硅产业从“高品质产品供应”向“技术+标准+资本”全要素集成的质变。公司将通过紧抓新能源+人工智能两大未来科技革命的双重引擎，以港股上市构建全球化资本及营销网络，用技术创新构筑护城河，引领全球碳化硅产业发展的新方向。
2025年，全球碳化硅产业正处于深度变革与战略重组的关键阶段，面临多重挑战，也存在诸多机遇，是奠定公司未来发展的破局之年，天岳先进始终围绕技术、产能、客户、市场构建长远发展的核心竞争力。
作为碳化硅行业的领导者，秉承我们既定的发展战略，公司将以“先进品质持续”的经营理念，凭借领先的技术、产能及高效的生产优势，努力降低碳化硅衬底的整体成本，推动高性能碳化硅衬底在更多应用领域的商业化，提升其在功率半导体市场的渗透率，开创可持续发展的经营基业。
非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
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