普冉股份(688766)：立足核心技术 多维拓展产品线

以先进工艺低功耗NOR Flash 和高可靠性EEPROM 为核心，构筑长期竞争力：


　　公司成立于2016 年， 2021 年8 月在上海证券交易所科创板上市。公司目前主要产品包括NOR Flash 和EEPROM 两大非易失性存储器芯片、MCU 微控制器芯片及模拟产品。产品广泛应用于物联网、智能手机及周边、可穿戴、服务器、光模块、工业控制、汽车电子、安防等领域。公司聚焦领先的非易失性存储器芯片，凭借超低功耗和高可靠性的产品优势，积累了良好的品牌认可度，成为全球NOR Flash和EEPROM 的主要供应商之一。公司是中国大陆主要的NOR Flash 存储器芯片供应商之一。据Web-Feet Research 报告显示，在2023 年NOR Flash 市场销售额排名中，公司位列全球第六。2024 年全年，公司NOR Flash 产品线出货量突破历史新高，累计出货量超49 亿颗。从工艺水平来看，公司作为行业首家采用电荷俘获的SONOS 工艺设计NOR Flash 的公司，充分发挥产品的性价比、体积、功耗、读写速度等优势。在工艺节点上，基于SONOS 工艺的平台特点，公司第二代40nm 制程产品已经成为量产交付主力，实现了升级替代。相对于行业主流的ETOX55nm 工艺制程，SONOS 40nm 节点下的NOR Flash 产品具备更高的芯片集成度、更低的功耗水平，更优的性价比优势，处于行业领先水平。公司的核心技术可以分为设计及工艺技术和特定产品技术。公司通过自主研发和设计架构的配合，通过工艺复杂度的降低，有效减少所需掩膜版的数量，从而降低产品的成本，通过降低操作电压，降低了擦除和写入操作对单元结构的损耗，实现NOR Flash 低功耗和高可靠性。同样，在MCU 领域，公司MCU 产品采用先进制程下的嵌入式Flash 工艺和设计，使得版图优化，从而实现更小更有竞争力的芯片面积，同时通过工艺复杂度的降低，有效减少所需掩膜版的数量，从而降低产品的成本。我们认为，公司立足于设计及工艺技术等核心技术，持续构建核心产品竞争力，未来成长可期。


　　筹划收购珠海诺亚长天存储，丰富SLCNAND 等产品线： 2025 年9 月15 日，公司发布《关于筹划收购珠海诺亚长天存储技术有限公司控股权的提示性公告》，公司拟通过收购珠海诺亚长天存储技术有限公司（标的公司）控股权，间接控股SkyHigh Memory Limited（SHM）。SHM 为一家注册在中国香港的半导体企业，专注于提供中高端应用的高性能2D NAND 及衍生存储器（SLC NAND，eMMC，MCP）产品及方案，核心竞争力为固件算法开发、存储芯片测试方案、集成封装设计、存储产品定制。根据弗若斯特沙利文数据，2024 年SLC NAND 全球市场规模为23.1 亿美元，受益于端侧AI、汽车电子等领域的发展对存储容量提升的带动，至2029 年SLC NAND 市场规模有望增长至34.4 亿美元，对应复合年增长率为5.8%。对于中国大陆的存储芯片产业而言，完全自主研发并掌握先进节点的2DNAND 技术是一个重要的阶段性成就和突破口，这有助于逐步实现国产替代，积累技术经验，并为后续向3D NAND 等更先进技术迈进奠定基础。本次收购主要是为了增强公司在存储器芯片领域的核心竞争力，进一步丰富产品线，双方在设计及产品工程能力方面也能相互补充，预计将有望产生良好的业务协同效应。


　　投资建议：我们预测公司2025 年至2027 年分别实现营收21.51 亿元、26.33 亿元、32.28 亿元，实现归母净利润分别为1.53 亿元、3.46 亿元、4.66 亿元，对应PE分别为132.3 倍、58.3 倍、43.3 倍，考虑到公司具备较强的核心技术实力，且在持续通过内生和外延拓展产品线，未来业务具有较大成长空间，首次覆盖，给予“买入”评级。


　　风险提示：下游需求不及预期风险、同业竞争格局加剧风险、收购不及预期风险、新品研发不及预期风险

□.熊.军./.王.臣.复    .华.金.证.券.股.份.有.限.公.司