晶盛机电(300316)：首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线 SIC衬底应用打开公司成长空间

投资要点


　　半导体收入占比不断提升，订单快速增长。12 英寸碳化硅衬底加工中试线通线，可兼容导电&半绝缘型。9 月26 日，首条12 英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC 正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC 真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化，标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，迈入高效智造新阶段。


　　SiC 凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS 结构散热并降低封装尺寸。英伟达GPU 芯片从H100 到B200 均采用CoWoS 封装（芯片-晶圆-基板）技术。CoWoS 通过将多个芯片（如处理器、存储器等）高密度地堆叠集成在一个封装内，显著缩小了封装面积，并大幅提升了芯片系统的性能和能效。但随着GPU 芯片功率增大，将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。（1）单晶碳化硅是一种具有高导热性的半导体，其热导率达到490 W/m·K，比硅高出2–3 倍，是高性能CoWoS 结构中介层的理想材料。（2）与硅中介层相比，单晶SiC 还具有更好的耐化学性，因此可以通过刻蚀制备出更高深宽比的通孔，进一步缩小CoWoS 封装尺寸。美国尼尔森科学采用的350 μm 碳化硅能够制备出109:1 的碳化硅中介层，显著高于常规硅中介层的17:1 深宽比。


　　SiC 具备高折射率、高热导性，成为AR 眼镜镜片的理想基底材料。基底材料的折射率越高，AR 镜片的FOV 就更大，单层SiC 镜片即可实现80 度以上FOV，可以提供更轻薄的尺寸和更大更清晰的视觉效果。高折射率同样可以有效解决光波导结构中的彩虹纹和色散问题。高导热性则有效提升了AR 眼镜的散热能力和性能表现。


　　同时，SiC 材料的高硬度和热稳定性亦支持刻蚀工艺的引入，有效提升产能和良率。


　　晶盛积极扩产6&8 英寸衬底产能，已具备12 英寸能力。晶盛目前已经攻克12 英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12 英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，成功长出12 英寸导电型碳化硅晶体。


　　盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027 年归母净利润预测为10/12/15 亿元，对应当前PE 为58/47/38 倍，维持“买入”评级。


　　风险提示：下游应用拓展不及预期，技术研发不及预期。

□.周.尔.双./.李.文.意    .东.吴.证.券.股.份.有.限.公.司