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| 芯导科技(688230)经营总结 | | 截止日期 | 2025-06-30 | | 信息来源 | 2025年中期报告 | | 经营情况 | 二、经营情况的讨论与分析
公司始终秉承“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”的使命，凭借优秀的研发团队及其强大的研发能力，通过不断的技术积累和沉淀，拥有搭建功率半导体技术平台的能力，并在此基础上对产品不断进行更新迭代。
目前，公司在各类细分产品及应用领域的技术平台开发上取得了显著成果。针对TVS产品，已陆续开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台、具有SCR结构的低电容ESD平台等；针对MOSFET产品，先后开发了平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；对于肖特基产品，已开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；针对第三代半导体GaNHEMT产品，公司开发了高压P-GaNHEMT技术平台；针对IGBT产品，公司开发了通用沟槽型IGBT技术平台、新能源用精细沟槽结构的IGBT技术平台。在IC产品方面，公司的技术平台涵盖了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台、负载开关技术平台。公司紧跟客户需求的变化与技术的进步，在现有技术平台的基础上不断推陈出新、迭代升级，持续推出新一代产品以满足市场需求。
（一）报告期内主要经营情况
报告期内，公司实现营业收入18,242.92万元，较上年同期增长17.09%；实现利润总额5,444.53万元，较上年同期减少3.90%；实现归属于上市公司所有者的净利润5,019.91万元，较上年同期减少3.86%；归属于上市公司所有者的扣除非经常性损益的净利润2,991.46万元，较上年同期增加20.18%。
报告期末，公司总资产228,027.90万元，较上年末减少2.05%；归属于上市公司股东的所有者权益222,209.68万元，较上年末减少1.86%。
（二）报告期内重点任务完成情况
1、稳步推进研发创新，提升核心竞争力
作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，公司一直坚持以自主技术创新为基础，坚持技术领先战略，不断强化技术创新能力。根据市场发展趋势、下游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展。
（1）功率器件研发方面：
1 在TVS产品方面：
A.公司具有深回退特性的低容超强浪涌防护能力的5V12VESD产品已经在多个大客户实现量产出货，与此同时该系列新增的20VESD产品已经在客户的预研项目中进行验证。此系列产品目前进行技术迭代，新一代的5VBi具有更低电容性能的产品工程批已经下线，目前安排验证中，通过后将正式发布。
B.具有0.15pF极低容值的SCRESD产品，目前已经形成性能高、低搭配的两个细分系列产品，产品覆盖了5-30V工作电压，目前该系列产品已经在大客户量产出货，并且在众多行业客户中，安排测试和验证。用于HDMI2.1以上接口的多路极低容值SCRESD保护产品已经在PC客户量产出货，同时，在开发具有小于0.3pF的单向产品也已经在开发中，工程批验证完成后，将使产品的阵容更加齐全。
C.公司通过技术迭代，实现了具有超低钳位电压、超大泄放电流的TVS系列产品的性价比提升，并已经实现了量产出货。同时针对大客户的具体应用需求，为该系列补充了突出正向浪涌保护能力和负向保护能力的高性价比产品，目前正安排客户送样测试和验证。
2 在MOSFET产品方面：
A.针对各领域客户的一些特定参数要求，公司对中压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET产品进行不断的更新迭代，产品阵容日渐丰富，包含100-150V的PMOS产品、100-150V的SGTMOS产品以及具有更高性价比、更高性能的中压SGTMOS产品等。这些产品目前都处于开发阶段，工程批完成后，将与终端客户一同验证产品性能。
B.低压具有超低导通阻抗和超低栅极电荷的MOSFET产品，针对移动电源H桥应用，开发了具有高效率的SGTMOSFET系列产品，同时采用更加先进的生产工艺，提升产品的单位晶胞密度，在更小尺寸的芯片上实现更高的性能，目前已经为客户提供工程样品进行验证。此外在消费类产品的OVPOTP应用中，不断扩大产品阵容，产品涵盖了目前市场所有品牌产品设计需求的参数规格，继续保持低压超低导通阻抗和超低栅极电荷的MOSFET产品优势。基于公司的低压TrenchMOSFET技术平台，目前开发具有超小尺寸的WLCSP封装MOSFET产品，将在消费类产品的快充通道及锂电池保护管理等应用中获得广泛的机会。
3 在肖特基产品方面：
目前具有超小封装尺寸，超低正向导通压降的超低容值肖特基产品，部分已经在客户终端验证，同时还在不断完善该系列的产品阵容。
4 在GaNHEMT产品方面：
公司650VGaNHEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，650VCascode结构GaNHEMT有序开发中，目前初步形成了50-3000mR系列产品。中低压GaNHEMT产品（40V~150V）有序开发中，其中具有代表性的40V双向GaN产品已在客户端实现量产出货。
5 在IGBT产品方面：
公司650V/1200V100A以下小电流产品形成系列化；1200V100A以上大电流产品持续开发过程，1200V200A芯片已定型，1700V200A客户认定中，1200V100A/150A、1700V150A等系列化产品陆续进行流片产出。
6 在SiC产品方面：
公司SiC产品，包含 SiC SBD系列 和 SiC MOSFET系列。SiC SBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650VSBD产品已在PD客户端出货，1200VSBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700V SBD产品陆续产出。SiC MOSFET系列包含650V/1200V/1700V电压档，正在有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域均有客户验证测试中。
（2）功率IC研发方面：
①在过流过压保护类IC产品方面：
A．带反接保护的30V/115mΩ规格产品，通过了多家终端产品的应用验证，已经开始批量出货。
B．超低成本OVPIC完成MPW验证和市场调研，准备正式生产流片。
②在线性充电类IC产品方面：
A．低成本0.6A线性充电IC验证通过，开始在客户端送样测试。
B．低成本1A线性充电IC验证通过，开始在客户端送样测试。
③在开关充电IC产品方面：
A. 3A大电流（带协议、带路径管理）开关充电产品开始批量出货。
B. 双节/多节锂电池充电IC已完成设计，准备MPW流片验证。
C. 低成本2A开关充电产品已完成设计，准备MPW流片验证。
2、深化品牌建设，巩固合作伙伴关系
公司始终以客户需求作为第一需求，积极参加行业展会、论坛，及时掌握行业动态及客户需求，促进与合作伙伴的交流合作，进一步加强品牌宣传力度，提升公司知名度。提高产品质量，提升服务水平，为客户提供更丰富的产品和更优质的服务，赢得客户认可，实现市场拓展和业务增长，维护公司品牌形象。报告期内，公司完成了如下工作：
（1）公司2025（春季）产品推介会暨合作伙伴大会在公司上海总部圆满举行，此次大会汇聚了近百位行业专家与长期合作伙伴，共谋机遇，携手展望未来蓝图，探索聚力同“芯”，迎风而上的道路。
（2）公司参加了2025（春季）亚洲充电展，展出了高质量及高性价比TrenchMOS、SGTMOS、SJMOS、GaNHEMT、GaNIC、SiCSBD、ESD等产品在PD电源、移动电源、无线充电、工业电源、服务器电源等设备中的应用。
（3）公司参加了NEPCONChina2025中国国际电子生产设备暨微电子工业展览会，与合作伙伴携手亮相人形机器人拆解展区，带来人形机器人关节电机、关节编码器、灵活指编码器等MOSFET产品与应用方案推荐。
（4）公司参加了2025世界移动通信大会（上海），重点展出智能终端、工业物联网、智慧能源、车联网等应用场景中的功率半导体优势产品及重点解决方案。公司长期深耕移动通讯重点应用，为高精度、高频率的5G、4G、蓝牙、Wifi等信号线传输需求，提供小封装、高可靠的半导体产品。
（5）公司凭借卓越的产品品质、出色的服务态度和高效的交付能力，荣获传音控股颁发的“2024优秀供应商奖”、荣获AI智能解决方案商微克科技颁发的“年度战略合作伙伴奖”，这些殊荣不仅是对过去双方紧密合作的肯定，更是对未来广阔发展前景的期许。
非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
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